松倉 文 | 東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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概要
関連著者
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大通研
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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松倉 文礼
東北大通研
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
大野 裕三
東北大通研
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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千葉 大地
科学技術振興機構erato
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岸本 修也
東北大通研
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澤田 安樹
東北大院理
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澤田 安樹
東北大理
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江澤 潤一
東北大理
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浦山 敦史
東北大理
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堀越 佳治
早大理工
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大 電通研
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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安元 理就
東北大理
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勝本 信吾
東大物性研
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大岩 顕
東大物性研
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家 泰弘
東大物性研
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篁 耕司
東北大通研
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山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
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野尻 浩之
東北大金研
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本河 光博
東北大金研
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杉江 修
東北大理
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遠藤 彰
東大物性研
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福村 知昭
東北大金研:科技機構さきがけ
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長谷川 哲也
東工大応セラ研
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長坂 啓吾
東理大理
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永井 康之
東理大理
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松倉 文〓
東北大通研
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沈 愛東
東北大通研
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熊田 倫雄
東北大理
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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長谷川 哲也
東京大学大学院理学系研究科
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千葉 大地
東北大通研
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庄野 知至
東工大応セラ研
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長坂 敬吾
東理大理
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好田 誠
東北大通研
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平澤 正勝
Crest
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Shen A.
東北大通研
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菅原 靖宏
東北大通研
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平澤 正勝
東大物性研
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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好田 誠
東北大院工:presto Jst
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小野 輝男
京大化研
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千葉 大地
京大化研
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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鯉沼 秀臣
東工大応セラ研
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高木 英典
東大物性研
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鯉沼 秀臣
Tokyo Institute Of Technology
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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江澤 潤一
東北大院理
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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李 永〓
東北大学電気通信研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
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福村 知昭
東工大総理工
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澤田 安樹
京大低物セ
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沢田 安樹
東北大・理
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
山ノ内 路彦
東北大通研
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大野 裕三
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
-
佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
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早川 純
日立 中研
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早川 純
日立 基礎研
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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島村 一利
東大化研
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島村 一利
京大化研
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深見 俊輔
東北大CSIS
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高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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大野 英男
東北大CSIS
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河口 真志
京大化研
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松倉 文礼
東北大CSIS
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千葉 大地
京大化研:JSTさきがけ
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深見 俊輔
NECA:東北大
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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野中 倫明
東京都立大塚病院 外科
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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三浦 登
東大物性研
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菅 滋正
阪大基礎工
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松田 康弘
東大物性研
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高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
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今田 真
阪大基礎工
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室隆 桂之
SPring-8 JASRI
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長谷川 哲也
東大理
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林 岳
東大物性研
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福村 知昭
東北大金研
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上田 茂典
阪大基礎工
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本河 光博
東北大金研強磁場セ
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本河 光博
神戸大理
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本河 光博
東北大金研 & Crest-jst
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斎藤 祐児
Spring-8
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北沢 宏一
東大院工
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遠藤 剛
東大院工
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遠藤 剛
名工大
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後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
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宗片 比呂夫
東工大像情報
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橋本 義昭
東大物性研
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小野 新平
電力中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
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松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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稲葉 和久
東工大応セラ研
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大野 英男
科技団
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福村 知昭
東工大応セラ研
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長谷川 哲也
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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宗片 比呂夫
東大大工
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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三浦 登
東京大学物性研究所
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北 智洋
科学技術振興機構ERATO
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山ノ内 路彦
東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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早川 純
日立製作所 基礎研究所
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有本 英生
東大物性研
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長谷川 哲也
東大
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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松倉 文礼
科学技術振興機構ERATO
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大野 英男
科学技術振興機構ERATO
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千葉 大地
科技機構ERATO
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安達 太郎
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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SALIS G.
Department of Physics, University of California
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AWSCHALOM D.
Department of Physics, University of California
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山ノ内 路彦
科学技術振興機構ERATO
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松倉 文[ヒロ]
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大通研
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三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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大野 英男
早大理工
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堀越 佳治
東北大理
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小山 圭一
東北大・金研
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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岸本 修也
東北大 通研
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大野 裕三
東北大 通研
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松倉 文〓
東北大 通研
-
大野 英男
東北大 通研
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家泰 弘
東大物性研
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小山 圭一
東北大金研
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秋葉 教充
東北大学電気通信研究所
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大宮 忠志
東北大学電気通信研究所
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Salis G.
Department Of Physics University Of California
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Awschalom D.
Department Of Physics University Of California
-
三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
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稲葉 和久
Kast:東工大
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高橋 宏昌
(株)日立製作所 基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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松倉 文礼
東北大CSIS:東北大WPI-AIMR:東北大RIEC
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大野 英男
東北大CSIS:東北大WPI-AIMR:東北大RIEC
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大野 裕三
東北大通研:CREST-JST
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- 29p-ZE-3 走査型ホール素子顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区観察
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
- 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクスの材料戦略
- スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
- 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
- スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
- 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
- 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 強磁性半導体における磁壁と伝導
- 強磁性の電界制御
- 8a-E-17 (Ga, Mn)Asの超強磁場赤外磁気光吸収
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 8a-E-16 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導II
- 29p-R-6 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導
- 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
- (Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
- 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
- 28a-YN-1 Ga(Mn)Asのサブミリ波ESR
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
- 3-5族ベ-ス希薄磁性半導体のGMR (固体物理特集号)
- 19aCC-10 電気二重層を用いた鉄超薄膜における電界効果(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-15 非対称な膜構成を持つ強磁性金属薄膜における異常磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
- 7pSB-1 Ga_Mn_xAsの赤外反射スペクトル(磁性半導体,領域4)
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)