澤田 安樹 | 東北大院理

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概要

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  京大低物セ

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  NTT物性基礎研

• 小松原 武美

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• 江澤 潤一

  東北大理

• 鈴木 三千郎

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• 鈴木 三千郎

  東北大理

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 福田 昭

  兵庫医大

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 大野 裕三

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大通研

• 岩田 一樹

  京大院理

• 岩田 一樹

  東北福祉大

• 浦山 敦史

  東北大理

• 佐久 規

  NTT-AT

• 松倉 文礼

  東北大通研

• 福田 昭

  京大低物セ

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 堀越 佳治

  早大理工

• 岸本 修也

  東北大通研

• 松倉 文

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 佐藤 憲昭

  東北大理

• 佐藤 武郎

  東北大理

• 寺澤 大樹

  東北大院理

• 熊田 倫雄

  東北大理

• 稲田 佳彦

  東北大理

• 佐久 規

  NTT物性基礎研

• 安元 理就

  東北大理

• 寺澤 大樹

  兵庫医科大物理

• 石黒 晶子

  東北大理

• 小松原 武美

  極低温科学セ

• 森野 正行

  東北大院理

• 佐藤 勝昭

  東京農工大工

• 杉江 修

  東北大理

• 新井 敏一

  京大低温セ

• 平山 祥郎

  東北大院理

• 阿部 祥和

  アドバンテスト

• 関川 貴史

  京大院理

• 木村 純子

  東北大理

• 新井 敏一

  京大低物セ

• 下田 雄一

  東北大院理

• 古住 信介

  東北大院理

• 熊田 倫雄

  東北大院理

• 下田 雄一

  東北大理

• 阿曽 尚文

  東北大理

• 鈴木 孝

  東北大理

• 久保 健洋

  東北大理

• 阿部 祥和

  東北大理

• 佐藤 武郎

  東北大学

• 長濱 智

  東北大院理

• 小豆畑 洋文

  東北大院理

• 森下 将史

  東北大理

• 森下 将史

  東北大 理

• 加藤 荘十郎

  東北大・理

• 森下 将史

  東北大・理

• 西中川 良平

  京大院理

• 石黒 晶子

  東北大院理

• 池田 淳

  東北大理

• 岩田 一樹

  東北大院理

• 中田 和孝

  東北大院理

• 田頭 邦弘

  東北大院理

• 青野 英樹

  東北大理

• 小笠原 良晃

  京大院理

• 小豆畑 洋文

  東北大理

• 長濱 智

  東北大理

• 小笠原 良晃

  京大理物理

• 畠山 顕

  東北大・極低セ

• 畠山 顕

  東北大理

• 芳賀 芳範

  原研

• 小松原 武美

  東北大院理

• 関根 恵

  東北大院理

• 小松原 武美

  東北大極低セ

• 武田 直也

  東大物性研

• 吉田 俊也

  東北大理

• 毛利 信男

  東大物性研

• 高橋 博樹

  日大文理

• 小方 正文

  東北大理

• 佐々木 健一

  物材機構

• 高橋 博樹

  東大物性研

• 佐藤 憲明

  東北大理

• 安元 理就

  東北大院理

• 武田 直也

  東北大理

• 佐藤 武郎

  東北大 理

• 平山 祥郎

  Ntt基礎研

• 佐藤 武郎

  東北大学理学部物理教室

• 佐々木 健一

  東北大理

• 芳賀 義範

  東北大理

• 村木 康二

  NTT基礎研

• 江澤 潤一

  東北大学大学院 理学研究科

• 芳賀 芳載

  東北大理

• 佐々木 健一

  東北大理,CREST,JST

• Sawada Anju

  Department of Physics,Tohoku University

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 加藤 壮十郎

  東北大理

• 加藤 荘十郎

  東北大理

• Sawada Anju

  Department Of Physics

• 高橋 博樹

  日本大学文理学部

• 村木 康二

  ANTT物性科学基礎研

• 佐久 規

  ANTT物性科学基礎研

• 平山 祥郎

  ANTT物性科学基礎研

• 野尻 浩之

  東北大金研

• 木村 憲彰

  東北大極低セ

• 石川 征靖

  東大物性研

• 大貫 惇睦

  阪大理院

• 本河 光博

  東北大金研

• 櫻井 醇児

  富山大理

• 木村 憲彰

  阪大理学部

• 山本 悦嗣

  原研先端研

• 芳賀 芳範

  原研先端研

• Kaczorowski D.

  ポーランド科学アカデミー

• Troc R.

  ポーランド科学アカデミー

• 芳賀 芳範

  東北大理

• 石川 義和

  富山大理

• 佐藤 憲昭

  東北大院理

• 山上 浩志

  東北大理

• 左近 拓男

  東北大金研

• 遠藤 康夫

  東北大院理

• 中山 昌彦

  東北大低温セ

• 桑井 智彦

  富山大理

• 水島 俊雄

  富山大理

• 平賀 晴弘

  東北大院理

• 山田 和芳

  東北大院理

• 高木 英外

  富山大理

• 中山 昌彦

  東北大極低温セ

• 澤田 安樹

  東北大 理

• 水島 俊雄

  富大理

• 鈴木 勝彦

  宮城工業高等専門学校

• 福田 昭

  京大低温セ

• 大貫 惇睦

  阪大理物理

• 中島 龍也

  東北大理

• 熊田 倫堆

  NTT物性基礎研

• 吉田 俊也

  東北大院理

• 杉江 修

  東北大院理

• 江沢 潤一

  東北大・理

• 熊田 倫雄

  東北大通

• 津田 是文

  京大院理

• 江藤 潤一

  東北大院理

• 中島 龍也

  東北大院理

• 寺澤 大樹

  東北大理

• 大野 英男

  早大理工

• 堀越 佳治

  東北大理

• 吉田 俊也

  日航

• Ishikawa Yosikazu

  College Of Liberal Arts Toyama University

• MURAKI Koji

  NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

• HIRAYAMA Yoshiro

  NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

• 福田 昭

  京大低温物質科学セ

• 澤田 安樹

  京大低温物質科学セ

• ABE Yoshikazu

  Department of Physics Engineering, Mie University

• 今村 公洋

  東北大理

• 津田 是文

  京大理物理

• 江澤 潤

  東北大理

• Krasovitsky V.

  東北大院理

• SAKU Tadashi

  NTT Basic Research Laboratories

• 藤井 裕久

  東北大理

• Muraki Koji

  Ntt Basic Research Laboratories

• Abe Yoshikazu

  Department Of Physics Engineering Mie University

• Abe Yoshikazu

  Department Of Physics Faculty Of Science Tohoku University

• 鈴木 勝彦

  宮城工業高専

• 遊佐 穂高

  宮城工業高専

• Tedrow P.M.

  MIT

• Hirayama Y

  Ntt Corp. Kanagawa Jpn

• Hirayama Yoshiro

  Ntt Basic Research Laboratories

• EZAWA Zyun

  Department of Physics, Tohoku University

• MATSUMOTO Kazuyuki

  Muroran Institute of Technology

• Hirayama Y

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation

• KUMADA Norio

  Department of Physics, Tohoku University

• NAGAHAMA Satoshi

  Department of Physics, Tohoku University

• AZUHATA Hirofumi

  Department of Physics, Tohoku University

• Ezawa Zyun

  Department Of Physics Tohoku University

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• Kumada Norio

  Department Of Physics Tohoku University

• Kumada Norio

  Department Of Physics Graduate School Of Science Tohoku University

• Nagahama Satoshi

  Department Of Physics Tohoku University

• Azuhata Hirofumi

  Department Of Physics Tohoku University

• 澤田 安樹

  東北大理、東北大通研

• 江澤 潤一

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• 大野 英男

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• 鈴木 勝彦/佐々木洋

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• 澤田 安樹

  東北大学大学院理学研究科

• 大貫 惇睦

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• 木村 憲彰

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著作論文

• 5a-YK-9 CoS_2のdHvA効果
• 31a-P-13 CeNi_2, Al_5, のdHvA効果
• 30p-M-13 BCC固体 ^3Heの新しい転移の可能性
• 30p-M-12 BCC固体 ^3HeのHFP-PP転移線の測定
• 3a-Y-3 BCC 固体^3HeのHFP-PP転移線
• 28a-YF-10 固体^3He高磁場相-常磁性相間核磁気相転移のヒステリシス
• 30a-T-9 固体^3He核磁気秩序相における磁場効果(VI)
• 25p-P-7 固体^3He核磁気秩序相における磁場効果(V)
• 29p-J-9 固体^3He核磁気秩序相における磁場効果(IV)
• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
• 1p-PSA-29 R_3Pd_Ge_6(R=Pr,Nd)の単結晶育成と磁性
• 25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 31aZP-10 高精度試料回転機構の開発と Skyrmion 励起の測定
• Ce_3Pd_Ge_6のdHvA効果
• 3p-Z-19 重い電子系超伝導化合物UPd_2Al_3の上部臨界磁場の異常II
• 3p-Z-18 重い電子系超伝導化合物UPd_2Al_3のdHvA効果(III)
• 28a-YN-3 重い電子系超伝導化合物UPd_2Al_3のdHvA効果(II)
• 28a-YN-2 重い電子系超伝導化合物UPd_2Al_3の上部臨海磁場の異常
• 12p-R-15 重い電子系超伝導化合物UPd_2Al_3のdHvA効果
• 29a-R-13 重い電子系半金属化合物UaAs_4のdHvA効果
• 27a-M-12 重い電子系半金属化合物U_3P_4のdHvA効果 II
• 30p-PS-2 重い電子系のdHvA効果実験用大型希釈冷凍機の製作(II)
• 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
• 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
• 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-10 2層系ν=1/3量子ホール状態における活性化エネルギーの電子密度差依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 31pZP-8 2層ν=2 量子ホール状態における励起スペクトル
• 18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
• 18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
• 27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
• 23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
• 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
• 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
• 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
• 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(I)
• 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
• 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
• 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
• 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
• 31p-P-9 Ce_3Pd_Ge_6の強磁場磁化
• 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
• 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
• 3a-Z-6 高圧下におけるdHvA効果の測定系の開発
• 23pSA-9 二層系量子ホール遷移におけるスピンと電荷分布の効果
• 28p-K-11 ^3He-^4He混合液における不飽和状態、過飽和状態および相分離の研究 : 一次相転移における量子効果(V)
• 28p-K-10 ^3He-^4He混合液における不飽和状態、過飽和状態および相分離の研究 : 一次相転移における量子効果(VI)
• 27aXB-12 2層系ν=2量子ホール状態の傾角反強磁性相における横磁場の効果(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-9 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 31aZP-9 マイクロ波空胴共振器摂動法による量子ホール効果の測定
• 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
• 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
• 28a-PS-34 高圧下におけるdHvA効果の測定
• 超低温におけるUPt_3の熱膨張 II
• 26aYQ-12 CrO_2膜の磁気抵抗の電流依存性
• 2層系量子ホ-ル効果--どのような現象が期待されるか?
• 23aL-10 二層系量子ホール効果におけるスカーミオン励起
• 24pD-5 高移動度試料における低ランダウ準位2層系量子ホール状態
• 25a-P-4 超低温における準安定状態崩壊のメカニズムとダイナミクスII
• 25a-P-3 超低温における準安定状態崩壊のメカニズムとダイナミクスI
• Finite size Scaling Analysis of Monte Carlo Simulation for the Stipdonk-Hetherington Model in Solid Helium-3 : The Phase Transition from Paramagnetic Phase to High Field Phase
• Doubly Enhanced Skyrmions in v=2 Bilayer Quantum Hall States : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
• 26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 23aL-9 二層量子ホール系におけるトンネリングとゼーマン効果の競合
• 24pD-4 二層量子ホール状態の電子配置と電子密度差に対する安定性
• 2層量子ホール系における層間コヒーレント現象
• 30p-ZF-8 2層系量子ホール効果:スピン自由度の役割
• 25aSA-6 2層系ν=2/3量子ホール状態における複合フェルミオン間相互作用(25aSA量子ホール効果(発光,二層系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 25aSA-5 2層系ν=1量子ホール状態における励起状態のトンネル相互作用依存性(25aSA量子ホール効果(発光,二層系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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