大野 裕三 | 東北大通研
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概要
関連著者
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大野 裕三
東北大通研
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大野 英男
東北大通研
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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澤田 安樹
東北大院理
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澤田 安樹
東北大理
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松倉 文礼
東北大通研
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江澤 潤一
東北大理
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浦山 敦史
東北大理
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岸本 修也
東北大通研
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堀越 佳治
早大理工
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安元 理就
東北大理
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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大野 英男
東北大 電通研
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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熊田 倫雄
東北大理
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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天羽 真一
ICORP-JST
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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久保 敏弘
Icorp
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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寺岡 総一郎
ICORP-JST
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樽茶 清悟
東大工
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杉江 修
東北大理
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大野 裕三
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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久保 敏弘
ICORP-JST
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都倉 康弘
ICORP-JST
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樽茶 清悟
ICORP-JST
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福村 知昭
東北大金研
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江澤 潤一
東北大院理
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澤田 安樹
京大低物セ
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沢田 安樹
東北大・理
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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好田 誠
東北大通研
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好田 誠
東北大院工:presto Jst
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樽茶 清悟
東大物理工
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佐々木 健一
物材機構
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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佐々木 健一
東北大理
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篁 耕司
東北大通研
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松倉 文〓
東北大通研
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佐々木 健一
東北大理,CREST,JST
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寺岡 総一郎
Quantum Information Project, ICORP-JST
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天羽 真一
Quantum Information Project, ICORP-JST
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羽田野 剛司
Quantum Information Project, ICORP-JST
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久保 敏弘
Quantum Information Project, ICORP-JST
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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安藤 康夫
東北大工
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手束 展規
東北大工
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山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
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大沢 裕一
東芝
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千葉 大地
科学技術振興機構erato
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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熊田 倫雄
東北大通
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近藤 裕佑
東北大通研
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小野 真証
東北大通研
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眞田 治樹
東北大通研
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松坂 俊一郎
東北大通研
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森田 健
科学技術振興機構
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山ノ内 路彦
東北大通研
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千葉 大地
科技機構ERATO
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安達 太郎
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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SALIS G.
Department of Physics, University of California
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AWSCHALOM D.
Department of Physics, University of California
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松倉 文
東北大通研
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森田 健
科学技術振興機構:東北大通研
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大野 英男
早大理工
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堀越 佳治
東北大理
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伊藤 顕知
日立基礎研
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眞田 治樹
NTT物性基礎研
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岸本 修也
東北大 通研
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大野 裕三
東北大 通研
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松倉 文〓
東北大 通研
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大野 英男
東北大 通研
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
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秋葉 教充
東北大学電気通信研究所
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大宮 忠志
東北大学電気通信研究所
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Salis G.
Department Of Physics University Of California
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Awschalom D.
Department Of Physics University Of California
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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松坂 俊一郎
東北大通研:科学技術振興機構
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大野 裕三
東北大通研:CREST-JST
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久保 敏弘
学習院大理
著作論文
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 超高密度磁気メモリ (特集2 ユビキタス社会を拓く次世代電子デバイス)
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
- 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
- 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- 半導体スピントロニクスと量子コンピューティング (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- スピントロニクス・マグネティクス
- 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
- 半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)
- クローズアップ:半導体デバイスへのスピン注入を実現
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
- 非磁性半導体量子構造中のスピントンネル
- 30p-ZF-7 2層2次元電子間のスピン依存トンネリング
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
- 合同セッションE : スピントロニクス・ナノマグネティクス
- 合同セッションE : スピントロニクス・ナノマグネティクス
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)