磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入

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概要

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• Injection and probing of spin-polarized currents in ferromagnetic/nonmagnetic semiconductor pn junctions are reviewed. A ferromagnetic p-type semiconductor (Ga, Mn)As layer, which produces a spinpolarized hole current, is grown on i-GaAs/i-(In, Ga)As quantum well (QW)/n-GaAs to form pn junction light emitting diode structures. The electroluminescence spectra and their polarization are measured at temperatures from 5 K to above the ferromagnetic transition temperature (T_c) of (Ga, Mn)As with or without magnetic fields. The EL polarization as a function of the magnetic field exhibits clear hysteresis below T_c, which is considered to be evidence that a spin-polarized electrical current is injected into nonmagnetic semiconductors.

• 2001-07-01

著者

• 大野 裕三

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 大野 裕三

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• 大野 英男

  東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大 電通研

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