斎藤 慎一 | (株)日立製作所 中央研究所

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概要

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• 斉藤 慎一

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著作論文

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• 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
• 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• シリコン超薄膜の電流注入発光

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