シリコン超薄膜の電流注入発光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 応用物理学会分科会日本光学会の論文
- 2008-01-10
著者
関連論文
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Quantum Phase Transition in d = ∞ Hubbard Model
- 28a-L-13 無限大次元引力Hubbard模型の基底状態の研究
- 無限次元ハバードモデルの量子相転移(基研研究会「統計物理の展望」,研究会報告)
- 30a-S-7 無限大次元Hubbard模型における超伝導転移
- 8a-PS-72 Fermi液体から反強磁性体への量子相転移
- 29a-J-3 引力Hubbard模型における超伝導と電荷密度波の共存
- シリコン超薄膜の電流注入発光
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))