リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出

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概要

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• ゲート絶縁膜の直接トンネルリーク電流が大きいMOSFETを,チャネル方向に容量,絶縁膜抵抗,チャネル抵抗の微小成分を考えるTransmission Line等価回路を適用して解析し,移動度を導出した。SiO_2をゲート絶縁膜とするnMOSFETの容量の周波数特性から,Transmission Line等価回路の妥当性を検証した。リーク電流が大きい場合,チャネル方向に電位分布が発生し,正確なパラメータ導出を妨げることがわかった。最適なチャネル長を選択し,精度パラメータを監視しながら測定した結果,1.5nmのSiO_2ゲート絶縁膜を有するnMOSFETについて,移動度を正確に導出することができた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-06-13

著者

• 嶋本 泰洋

  (株)日立製作所中央研究所

• 平谷 正彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鳥居 和功

  (株)日立製作所 中央研究所

• 斉藤 慎一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 外村 修

  (株)日立製作所 中央研究所

• 斎藤 慎一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 平谷 正彦

  Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park

• 斉藤 慎一

  (株)日立製作所中央研究所

• 斎藤 慎一

  (株)日立製作所中央研究所

• 斎藤 慎一

  日立製作所中央研究所

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