スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
MOSFETの理論限界よりも急峻なサブスレショルド・スイングを持つ,"複合型MOSFET"を開発した.MOSFETのドレイン電極の中にトンネル接合を形成することで,トンネル注入型バイポーラトランジスタと抵抗素子およびMOSFETを,従来MOSFETの中に作りこむことに成功した.入力信号を加速してトンネル接合に印加することで,キャリアの注入を促進させ,低電圧下(〜0.2V)でも急峻なサブスレショルドスイングを実現できることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-24
著者
-
斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
-
島 明生
日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
吉元 広行
日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立・中研
-
久本 大
(株)日立製作所中央研究所
-
武田 英次
日立総合計画研究所
-
斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
-
久本 大
日立総合計画研究所
-
斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
-
武田 英次
日立総合計画研
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
関連論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- High-k ゲート絶縁膜のスケーリング限界
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- 水素還元プロセスによるPt/Pb(Zr, Ti)O_3/Ptキャパシタ電気特性の変化
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- レーザーアニールによる不純物活性化とSiデバイス応用
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン半導体デバイスの展望 (特集 次世代ICT社会を支える最先端デバイス製造システム)
- 強誘電体薄膜作製技術とプロセス技術
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- DRAM絶縁膜用極薄PZT薄膜
- C1 トンネル音響顕微鏡によるPZT薄膜の観察(超音波非破壊評価)
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- PA-5 歪イメージングによるPZT薄膜の観察(P.ポスターセッションA-概要講演・展示)
- SPS(Self-aligned Punch-through Stopper)構造のMOSFET動作特性
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 重水を用いた原子層成長技術によるHigh-kゲート絶縁膜への重水素添加
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ナノメートル世代のシリコン半導体デバイスの展望 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- 最近のIEDM CMOSセッションにおける地域別研究動向(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- C-12-23 アンブレラセル : 高集積性・低電圧動作を同時に実現する SOC 向けオンチップメモリセル
- 平たん構造からの飛躍:Fin型チャネルFET構造の必然性
- アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- FD/DG-SOI MOSFETsによるスケーリング限界へのアプローチ
- 微細CM0Sの高周波分野への応用
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討
- Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術
- Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術
- Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術
- Quantum Phase Transition in d = ∞ Hubbard Model
- 28a-L-13 無限大次元引力Hubbard模型の基底状態の研究
- 無限次元ハバードモデルの量子相転移(基研研究会「統計物理の展望」,研究会報告)
- 30a-S-7 無限大次元Hubbard模型における超伝導転移
- 8a-PS-72 Fermi液体から反強磁性体への量子相転移
- 29a-J-3 引力Hubbard模型における超伝導と電荷密度波の共存
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ (シリコン材料・デバイス)
- DCCPW線路を用いた光・マイクロ波受信モジュール
- シリコン超薄膜の電流注入発光
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- 研究紹介 HfO2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル
- 微細MOSFETの高電界効果と素子構造 : 信頼性物理の研究
- 65nmノード向けHigh-kゲート絶縁膜技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- SOC向け大容量Cu/TaO/Cu MIMキャパシタ (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
- α線によるソ-ス・ドレイン貫通効果
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元積層を可能にする Poly-Si トランジスタ駆動の相変化メモリ
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))