FD/DG-SOI MOSFETsによるスケーリング限界へのアプローチ
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概要
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FD/DG-SOI MOSFETのもつ課題について、主に形成プロセスから検討を行った。なかでも実用上重要となる(1)薄膜SOI層の寄生抵抗の抑制、(2)ゲート仕事関数による閾値制御、(3)ダブルゲート構造の形成法についてこれまで提案されてきた対策を示すとともに、FD/DG-SOIのスケーラビリティについて明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-15
著者
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