微細CM0Sの高周波分野への応用
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概要
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微細化によるCMOSデバイスの高性能化により、MOSの高周波特性が大きく向上することが期待されている。ここでは、薄膜SOIを用いることで、低ノイズ特性(NF=0.8dB)を持ったMOSFET、および、自己共振周波数19.6GHzを持ったサスベンデッド・インダクタを得られたことを報告する。これにより2GHz帯の無線通信に用いられるデバイスが、従来のシリコンプロセスで実現できることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-20
著者
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