移動通信用HEMT低雑音増幅器
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概要
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移動通信端末では、小形化軽量化による携帯性と低消費電力化が求められている。軽量化実現のキー技術の一つが端末無線部のMMIC化であり、今回は受信部初段に位置する低雑音増幅器を高性能なHEMT素子で開発した。LC整合回路とバイアス回路を内蔵した直列帰還の1段構成とし、サイズで関数化したインダクタを用いて設計した。0.15μmダブルリセスゲート構造InGaAs-HEMTと線幅10μmエアブリッジ構造スパイラルインダクタを含むプロセス技術で試作した。周波数1.5GHzにおいて、電力利得12.9dB、雑音指数1.79dB、入出力VSWR1.5以下、出力3次インターセプト点9.4dBmの性能を消費電流2mAで実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
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長谷 英一
日立製作所 中央研究所
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谷本 琢磨
日立製作所 中央研究所
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清水 敏彦
(株)日立製作所 中央研究所
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藤岡 徹
(株) 日立製作所半導体事業部
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森 光広
日立 中研
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清水 敏彦
日立製作所中央研究所
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藤岡 徹
日立製作所中央研究所
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森 光広
日立製作所中央研究所
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山根 正雄
日立製作所半導体事業部
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山根 正雄
(株) 日立製作所半導体事業部
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長谷 英一
(株) 日立製作所半導体事業部
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谷本 琢磨
日立製作所中央研究所
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