XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
次世代ゲート絶縁材料として期待されているHf系高誘電率薄膜のAugerパラメータを電子分光法で測定し、その光学的誘電率を推定した。本測定には、p型Si (100)基板(4Ω・cm)上に、0.9nmの熱酸化SiO_2膜を介して5nmのHfSiO_X膜をALD法(600℃)で形成した後に、NH_3+O_3処理またはO_3処理を行った2種類の試料を使用した。これらのHfSiO_X膜中Si原子から放出されるSi 2p光電子の束縛エネルギーとSi KLL AES電子の運動エネルギーを、XPSとAESによって測定した。そして、両エネルギーの和としてAugerパラメータを算出し、光学的誘電率を推定した。その結果、NH_3+O_3処理の試料ではε=4.7〜4.9、O_3処理の試料ではε=3.9〜4.2となった。このことから、NH_3を加えることにより、光学的誘電率が高くなったことが推測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
-
鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
-
廣瀬 和之
総合研究大学院大学
-
廣瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
-
鈴木 伸子
総合研究大学院大学
-
山脇 師之
総合研究大学院大学
-
川原 孝昭
半導体先端テクノロジーズ
-
廣瀬 和之
宇宙科学研究所
関連論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI CPUの開発 (第2回宇宙科学シンポジウム)
- 耐放射線強化SOIデバイスの開発
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 重水を用いた原子層成長技術によるHigh-kゲート絶縁膜への重水素添加
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 宇宙用半導体部品の開発状況
- 惑星探査機搭載用先端SOIデバイスの開発
- Si 基板上の Al 膜配向性がショットキー特性に及ぼす影響
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討
- 特集 宇宙・民生デュアルユースのLSI 宇宙・民生デュアルユースの半導体集積回路の開発--SOIデバイスの放射線耐性強化技術
- 特集 宇宙・民生デュアルユースのLSI 宇宙・民生デュアルユースの半導体集積回路の開発--その戦略
- X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出
- 耐放射線強化SOI-SRAMの開発
- 宇宙用半導体部品とその耐放射線化技術
- AT-1-2 宇宙環境におけるソフトエラーと放射線強化技術(AT-1.集積回路におけるソフトエラー-測定法,回路技術,EDA-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 宇宙・民生のデュアルユースの半導体集積回路の開発と設計生産体制(宇宙科学ミッション・衛星技術,及び一般)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 研究紹介 HfO2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル
- Si-SiO_2系の形成・構造・物性
- ショットキー障壁形成機構と制御可能性について
- ショットキー障壁形成機構と制御可能性について
- ショットキー障壁形成機構と制御可能性について
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- 65nmノード向けHigh-kゲート絶縁膜技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- 宇宙・民生デュアルユースプロセッサの開発 : SOI-SoCの開発(宇宙・民生デュアルユースのLSI)
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 宇宙・民生のデュアルユースLSIの将来展望(宇宙・民生デュアルユースのLSI)
- 光電子分光法によるSi系材料ナノ構造の評価
- 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究
- C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-28 民生用FPGAにおける放射線起因エラーの評価(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)