フラッシュメモリにおける高効率高電圧並びに高精度基準電圧発生回路
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概要
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近年、フラッシュメモリは携帯機器用のファイルメモリとして多く採用されている。この用途には低電圧化の要求が強い。低電圧動作のためには、書換え動作電圧を高効率に発生し、書換え後のメモリセルのしきい値を高精度に制御する必要がある。本報告では、これを実現するための回路技術として、高効率な高電圧発生回路並びに高精度な基準電圧発生回路を提案する。
- 1996-03-11
著者
-
宮本 直樹
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
佐伯 俊一
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
城野 雄介
(株)日立製作所半導体事業部
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