3V単一電源フラッシュメモリの書込みパルス幅べき乗比印加方式の検討
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概要
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フラッシュメモリは、高集積性と不揮発性を兼ね備えたメモリであり、その市場拡大を図るためには、小型携帯機器用途で必須となる低電圧化を満足する必要がある。書換え動作にFowler-Nordheimトンネル現象を利用するメモリセルが提案されている。本メモリセルでは外部電源電圧の3V単一化が図れるが、トンネル現象を利用することで書込み時間は遅くなり、書込み動作の高速化が課題となる。そこで、512バイト一括で書込みを行う方式を採用している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
佐伯 俊一
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 利広
(株) 日立製作所 半導体グループ
-
田中 利広
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 利広
日立
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
小倉 圭介
(株) 日立製作所 半導体事業部
-
加藤 昌高
(株) 日立製作所 中央研究所
-
足立 哲生
(株) 日立製作所 中央研究所
-
久米 均
(株) 日立製作所 中央研究所
-
木村 勝高
(株) 日立製作所 中央研究所
-
加藤 正高
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
足立 哲生
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
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