池川 純夫 | (株)東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝 研開セ
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池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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天野 実
(株)東芝研究開発センター
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岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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石綿 延行
Necデバプラ研
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中山 昌彦
(株)東芝研究開発センター
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田原 修一
NEC基礎研究所
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
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下村 尚治
(株)東芝
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吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
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池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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永瀬 俊彦
(株)東芝研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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梶山 健
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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永瀬 俊彦
(株)東芝 研究開発センター
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斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝
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波田 博光
日本電気(株)
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
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渡辺 陽二
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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相川 尚徳
(株)東芝研究開発センター
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小瀬木 淳一
(株)東芝研究開発センター
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西山 勝哉
(株)東芝研究開発センター
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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清水 孝文
(株)東芝半導体研究開発センター
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岩山 昌由
(株)東芝研究開発センター
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渡辺 陽二
(株)東芝半導体研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
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梶山 健
(株)東芝研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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天野 実
東芝
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社
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池川 純夫
東芝研究開発セ
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與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
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湯浅 新治
産総研
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冨田 博之
阪大院基礎工
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久保田 均
産総研
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福島 章雄
産総研
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久保田 均
産業技術総合研究所
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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藤田 忍
大阪市立大学
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大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大坊 忠臣
東北大工
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鈴木 義茂
電総研
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湯浅 新治
電総研
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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吉川 将寿
東芝 研究開発センター
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滝沢 亮介
(株)東芝 Soc 研究開発センター
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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上田 知正
株式会社東芝研究開発センター
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菊田 邦子
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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岸 達也
株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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土田 賢二
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 新規メモリ設計技術開発部
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斉藤 好昭
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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藤田 忍
(株)東芝研究開発センター
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石綿 延行
NECシステムデバイス研究所
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與田 博明
東芝
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與田 博明
東芝研究開発センター
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大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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清水 有威
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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岩田 佳久
(株)東芝 研究開発センター
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板垣 清太郎
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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細谷 啓司
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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安田 心一
東芝研究開発センター
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松本 麻里
東芝研究開発センター
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安田 心一
(株)東芝研究開発センター
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板垣 清太郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岩田 佳久
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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元井 雄一
(株)東芝 基礎研究所
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久保田 均
産業技術総合研
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藤田 忍
大阪市立大学生活科学部居住環境学科
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菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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清水 有威
(株)東芝半導体研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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岩田 佳久
東芝 研開セ
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野崎 隆行
大阪大学基礎工学研究科
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冨田 博之
大阪大学基礎工学部
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吉川 将寿
東芝研究開発センター
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北川 英二
東芝研究開発センター
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岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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板垣 清太郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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長瀬 俊彦
東芝研究開発センター
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大坊 忠臣
東芝研究開発センター
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長嶺 真
東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝エレクトロニクス韓国社
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松本 麻里
(株)東芝研究開発センター
-
池川 純夫
東芝エレクトロニクス韓国社
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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北川 英二
(株)東芝研究開発センター
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藤田 忍
(株)東芝
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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吉川 将寿
(株)東芝研究開発センター
-
藤田 忍
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
北川 英二
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 大容量MRAMの展望
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- 大容量MRAMへの書込み特性の向上
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 酸化物超伝導薄膜の積層構造制御
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路