天野 実 | 東芝
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概要
関連著者
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天野 実
(株)東芝研究開発センター
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天野 実
東芝
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斉藤 好昭
東芝
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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小瀬木 淳一
(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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永瀬 俊彦
(株)東芝研究開発センター
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池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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永瀬 俊彦
(株)東芝 研究開発センター
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甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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田原 修一
NEC基礎研究所
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猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
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猪俣 浩一郎
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 基礎研究所
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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斉藤 好昭
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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砂井 正之
東芝
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末光 克巳
日本電気(株)
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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大嶋 則和
Nec
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福本 能之
NEC
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沼田 秀昭
NEC
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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與田 博明
東芝
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
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上田 智樹
(株)東芝, 研究開発センター
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福本 能之
Necシステムデバイス研究所
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岸 達也
東芝基礎研
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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上田 智樹
(株)東芝 研究開発センター
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永原 聖万
Nec
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 研究開発センター:科学技術振興機構
著作論文
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子
- 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- MRAM : 開発の最前線
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化