天野 実 | (株)東芝研究開発センター
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概要
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天野 実
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(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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昆野 舜夫
(株)東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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井関 裕二
(株)東芝、材料・デバイス研究所
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昆野 舜夫
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
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栗山 保彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 ディスクリート半導体開発部
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栗山 保彦
(株)東芝セミコンダクター社
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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小野村 純子
(株)東芝材料・デバイス研究所
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吉原 邦夫
(株)東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝 研開セ
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甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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井関 裕二
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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小野 直子
株式会社東芝研究開発センター
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中山 昌彦
(株)東芝研究開発センター
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高橋 茂樹
(株)東芝研究開発センター
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砂井 正之
(株)東芝・研究開発センター
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井関 裕二
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝SoC研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝
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高橋 茂樹
(株)東芝 研究開発センター
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永瀬 俊彦
(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝
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(株)東芝半導体研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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渡辺 陽二
(株)東芝半導体研究開発センター
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池川 純夫
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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(株)東芝 研究開発センター
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小野 直子
研究開発センター
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山口 恵一
研究開発センター
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天野 実
研究開発センター
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志津木 康
情報・社会システム社
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NECシリコンシステム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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(株)東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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斉藤 好昭
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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砂井 正之
東芝
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末光 克巳
日本電気(株)
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
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末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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大嶋 則和
Nec
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福本 能之
NEC
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沼田 秀昭
NEC
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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與田 博明
東芝
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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(株)東芝, 研究開発センター
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福本 能之
Necシステムデバイス研究所
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岸 達也
東芝基礎研
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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梶山 健
(株)東芝研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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上田 智樹
(株)東芝 研究開発センター
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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永原 聖万
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 研究開発センター:科学技術振興機構
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北川 英二
(株)東芝研究開発センター
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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吉川 将寿
(株)東芝研究開発センター
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北川 英二
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAsMMIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- C-2-10 76GHz帯MMICゲートミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子
- 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- BCB薄膜誘電体層を持つ60GHz帯MMIC増幅器 (特集 先端半導体デバイス技術)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- MRAM : 開発の最前線
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- 60GHz帯MMICドレインミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))