松本 麻里 | 東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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松本 麻里
東芝研究開発センター
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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藤田 忍
大阪市立大学
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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(株)東芝
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藤田 忍
(株)東芝研究開発センター
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝
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(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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棚本 哲史
東芝研究開発センター
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(株)東芝
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池上 一隆
東芝研究開発センター
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安田 心一
(株)東芝研究開発センター
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藤田 忍
大阪市立大学生活科学部居住環境学科
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝 研開セ
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松本 麻里
(株)東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝エレクトロニクス韓国社
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藤田 忍
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- C-12-43 SiN MOSFETと論理ゲートから構成される物理乱数生成回路(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
- SiリッチSiN MOSFETを用いた高速乱数生成器 (特集 情報セキュリティ技術)
- セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路