酸化物超伝導薄膜の積層構造制御

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 表面技術協会の論文
• 1996-12-01

著者

• 池川 純夫

  (株)東芝研究開発センター

• 池川 純夫

  (株)東芝 基礎研究所

• 元井 雄一

  (株)東芝 基礎研究所

関連論文

• 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
• [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• 大容量MRAMの展望
• 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
• 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
• 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
• MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
• 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
• 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
• 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
• 大容量MRAMへの書込み特性の向上
• MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 酸化物超伝導薄膜の積層構造制御
• TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
• 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
• セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク