異方性選択エピタキシャル成長を用いたギガビットDRAMコンタクト技術 : セルフアラインコンタクトパッドの形成
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概要
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選択異方性エピタキシャル成長を用いたギガビットDRAM 用セルフアラインコンタクト技術を開発した。基板温度700℃の選択異方性Si成長を用いた本技術によりpoly-Siを用いた従来型のコンタクトの5分の1の界面抵抗を実現した。0.2μmの設計ルールにおいて最小のメモリセルサイズであるO.24μm^2を実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-20
著者
-
森 秀光
日本電気(株)
-
辰巳 徹
日本電気(株)
-
波田 博光
日本電気(株)
-
波田 博光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
小山 邦明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
-
宮永 恵子
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
巌 庄ー
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
小山 邦明
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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