フッ素化アモルファスカーボン膜を用いた低誘電率層間絶縁膜形成
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概要
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低誘電率層間絶縁膜に用いられるフッ素化アモルファスカーボン膜(a-C:F)を、新たに開発した。a-C:FはC_4F_8を原料ガスに用いたヘリコンプラズマCVDによって高速成膜(400nm/min)可能で、300℃以上の耐熱性とε_r=2.3の低比誘電率を兼ね備えている。また、基板にバイアスをかけることによってSiO_2バイアスプラズマCVDと同様に、配線間のギャップに埋め込むことができる。配線プロセス、特にCMPによる平坦化と酸素プラズマによるレジスト剥離時におけるa-C:F膜へのダメージを避けるために、SiO_2/a-C:F多層構造とし、既存プロセスとの整合性を図った。SiO_2もヘリコンバイアスCVDによって連続成膜し、界面にa-C:HとSiリッチに組成を変化させたSiO_2を挿入することによって密着性を改善した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
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