丸泉 琢也 | 東京都市大
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概要
関連著者
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丸泉 琢也
東京都市大
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丸泉 琢也
東京都市大学
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白木 靖寛
東京都市大
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瀬戸 謙修
東京都市大学
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宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
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白木 靖寛
東京都市大学
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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千葉 太一
東京都市大学総合研究所
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徐 学俊
東京都市大学総合研究所
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白木 靖寛
都市大総研
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浅野 裕史
東京都市大学
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加藤 勇太
東京都市大学
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大橋 鉄也
北見工業大学
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大橋 鉄也
北見工大
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佐藤 満弘
北見工大
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丸泉 琢也
武蔵工業大学電気電子工学科
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佐藤 満弘
北見工業大学機械工学科
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牛尾 二郎
日立製作所中央研究所
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伊藤 俊佑
東京都市大学
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長谷川 直哉
北見工大院
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瀬戸 謙修
東京都市大学工学部
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飯島 郁弥
東京都市大学工学部
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澤野 憲太郎
東京都市大
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諏訪 雄二
(株)日立製作所基礎研究所
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牛尾 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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北川 功
(株)日立製作所基礎研究所
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北川 功
日立基礎研
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白木 靖寛
東京都市大学総合研究所シリコンナノ科学研究センター
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丸泉 琢也
東京都市大学総合研究所シリコンナノ科学研究センター
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夏 金松
武漢光電国家実験室
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諏訪 雄二
(株) 日立製作所基礎研究所
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川崎 裕
東京都市大学工学部:(現)ルネサスイーストン
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丸泉 琢也
東京都市大学工学部
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中山 利紀
東京都市大学工学部:(現)イリソ電子工業
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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澤野 憲太郎
東京都市大学工学部
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加藤 勇太
東京都市大学工学部
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丸泉 琢也
東京都市大学総合研究所
著作論文
- ハードウェア合成用Cベース設計記述向けタスクレベルパイプライン化手法
- ハードウェア合成用Cベース設計記述向けタスクレベルパイプライン化手法
- ハードウェア合成用Cベース設計記述向けタスクレベルパイプライン化手法
- ハードウェア合成用Cベース設計記述向けタスクレベルパイプライン化手法
- CI-3-3 Si微小共振器中Ge量子ドットによる発光素子の開発(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像
- 1702 STI型ULSI素子の微細化に伴う転位蓄積の結晶塑性解析(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション講演)
- 1515 ULSIセルゲート長の微細化にともなう転位蓄積の数値的評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(4),オーガナイズドセッション)
- ハフニウム酸化物への元素添加効果 : 第一原理計算による検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 外側ループシフトを使用した高位合成向け自動ループ融合(システムレベル設計,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- 外側ループシフトを使用した高位合成向け自動ループ融合(システムレベル設計,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像
- 外側ループシフトを使用した高位合成向け自動ループ融合
- 外側ループシフトを使用した高位合成向け自動ループ融合
- 第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 209 ULSIセル内部の熱酸化膜形成時に生ずる転位のシミュレーション(材料力学V)
- 第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価