北川 功 | (株)日立製作所基礎研究所

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概要

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関連著者

• 丸泉 琢也

  武蔵工業大学電気電子工学科

• 北川 功

  (株)日立製作所基礎研究所

• 佐藤 満弘

  北見工業大学機械工学科

• 佐藤 満弘

  北見工大

• 北川 功

  日立基礎研

• 大橋 鉄也

  北見工大

• 大橋 鉄也

  北見工業大学

• 丸泉 琢也

  武蔵工大

• 丸泉 琢也

  日立基礎研

• 大橋 鉄也

  北見工業大学工学部

• 佐藤 満弘

  北見工業大学

• 大橋 鉄也

  Kitami Institute of Technology

• 馬野 晃一

  北見工大学生

• 丸泉 琢也

  武蔵工業大学工学部電気電子工学科

• 丸泉 琢也

  東京都市大

• 馬野 晃一

  北見工大学生:(現)ミヤマ工業(株)

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著作論文

• 不純物がドープされたULSIセルに生ずる転位の結晶塑性解析
• 619 不純物ドーピングされたULSIセル内に蓄積される転位の数値的評価(OS06.材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス(5))
• 1222 ULSIセル中の転位蓄積に対する格子摩擦応力の影響(OS-12F 新しい計算モデル,OS-12 材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス)
• ULSIセル内に温度降下により発生する転位シミュレーション : 格子摩擦応力の温度依存性を考慮した場合(OS1a 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
• 349 浅溝分離型 ULSI セル中に発生する転位のシミュレーション
• 441 ULSI セルの欠陥形成の結晶塑性解析
• 1515 ULSIセルゲート長の微細化にともなう転位蓄積の数値的評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(4),オーガナイズドセッション)
• 706 ULSIセル内に蓄積する転位のデバイス寸法依存性に関する数値的評価(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)

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