Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像
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概要
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We conducted a first-principles examination to determine the most stable position of an icosahedral B12 cluster near a Si(001) surface. We discovered that such a cluster is most stable when its center is located at the fourth layer position from the Si top surface where a Si dimer sits directly overhead. Scanning tunneling microscopy (STM) simulation revealed that Si dimers above the B12 cluster are distinguishable from other dimers in STM images of low sample bias voltages.
- 電気学会の論文
- 2011-06-01
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