ハフニウム酸化物への元素添加効果 : 第一原理計算による検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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MOSデバイス高誘電率ゲート絶縁膜として、ハフニウム酸化物(HfO_2)が期待されている。一方、同酸化物については、酸素欠損、ハフニウム欠損などの欠陥が、ゲート絶縁膜信頼性に影響する事が知られており、元素添加による改善が試みられている。本研究では、ランタン、アルミニウム、マグネシウムの添加効果について、第一原理計算により比較したので報告する。
2011-06-27

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