タンクルシリサイドを用いた低リーク電流・低抵抗コンタクト形成技術
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概要
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デバイス構造の微細化、ウェハの大口径化に伴いプロセス温度の低温化が求められている。本研究では、自然酸化膜の形成を完全に抑えた状態でTaシリサイド反応を行うことにより2×10^<-9>Ω・cm^2という超低コンタクト抵抗の金属/半導体接合形成を低温で(550℃)実現した。また、低ドーパント濃度の基板を用いることにより、550℃という低温で10^<-10>A/cm^2台の低リーク電流の接合形成も同時に実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-26
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊野 和英
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
谷口 祥之
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊野 和英
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科
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