低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術
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概要
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ゲート電極材料にbcc-Taを用いた完全空乏型SOIMOSデバイスを試作した。Taのスパッタリング成膜時において基板へのイオン照射エネルギー、およびイオン照射量を精密制御し、さらにTa電極の上に連続してアモルファスSiを成膜することにより、従来のβ-Taに比べて抵抗率が2桁低いbcc-Taをゲート酸化膜上に成膜することを可能にした。またTaのスパッタ成膜にXeプラズマを用いることでTaゲートMOSデバイスでもpoly-Siゲートと同等の酸化膜の信頼性がえられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-21
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
-
河合 邦浩
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊野 和英
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
伊野 和英
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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