BF_2^+イオン注入後の低温アニールによる極浅・低リークp^+n接合形成
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概要
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BF_2^+イオン注入後の500℃、4時間のアニールで10^-9A/cm^2の非常にリーク電流の低い極浅p^+n接合を形成した。これはAs^+イオン注入による極浅・低リークn^+p接合形成の研究で得られた技術、つまり汚染物質の混入を可能な限り抑えたウルトラクリーンイオン注入、そして基板の不純物と絡んだ欠陥を抑えるために低不純物濃度基板を用いることによって実現された。このことで500℃程度の低温でのCMOS形成が可能となる。しかしBF_2^+イオン注入層に必然的に混入するフッ素の存在により低温アニールにおいてボロンの活性化が若干妨げられ、また著しい再結晶速度の低下が起こりアニールの長時間化の問題を引き起こすことが明らかとなった。そこでこのフッ素をできるだけ減らすために活性化するボロンの濃度が下がらない最少限のドーズ量、具体的には8×10^14cm^-2打ち込むことで465℃において2×10^15cm^-2の場合と比べ8時間もアニール時間を減少させることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-21
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
-
中田 明良
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
金本 啓
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
岡 マウリシオ正純
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
玉井 幸夫
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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