玉井 幸夫 | シャープ株式会社 技術本部
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概要
関連著者
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玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
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玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
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島 久
産業技術総合研究所
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粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社技術本部
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大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
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粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
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島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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秋永 広幸
産業技術総合研
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大西 茂夫
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社 技術本部
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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中野 貴司
シャープ株式会社 技術本部
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大西 哲也
シャープ株式会社 技術本部
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石原 数也
シャープ株式会社技術本部
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渋谷 隆広
シャープ株式会社技術本部
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井上 雄史
シャープ株式会社技術本部
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山崎 信夫
シャープ株式会社技術本部
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高木 英典
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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赤穂 博司
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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十倉 好紀
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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井上 雄史
シャープ株式会社 技術本部
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赤穂 博司
産総研
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山崎 信夫
シャープ株式会社 技術本部
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赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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渋谷 隆広
シャープ株式会社 技術本部
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石原 数也
シャープ株式会社 技術本部
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
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赤穗 博司
産総研CERC
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中田 明良
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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岡 マウリシオ正純
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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秋永 広幸
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
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十倉 好紀
東大院工
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大見 忠弘
東北大学工学部
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柴田 直
東北大学工学部
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金本 啓
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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玉井 幸夫
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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玉井 幸夫
東北大学工学部電子工学科
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中田 明良
東北大学工学部電子工学科
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岡 マウリシオ正純
東北大学工学部電子工学科
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玉井 幸夫
シャープ株式会社研究開発部基盤技術研究所
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秋永 広幸
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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島 久
独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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秋永 広幸
独立行政法人産業技術総合研究所 ナノデバイスセンター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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秋永 広幸
独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- CT-1-3 ReRAMの最新技術動向(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- BF_2^+イオン注入後の低温アニールによる極浅・低リークp^+n接合形成
- 基板不純物濃度低減による450℃アニールイオン注入接合の特性改善
- 4. 機能性酸化物を用いた不揮発性メモリRRAM : メモリ動作の信頼性向上を目指して(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)