島 久 | 産業技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 島 久

  産業技術総合研究所

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所

• 島 久

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 秋永 広幸

  産業技術総合研

• 粟屋 信義

  シャープ株式会社 技術本部

• 玉井 幸夫

  シャープ株式会社 技術本部

• 細井 康成

  シャープ株式会社技術本部

• 玉井 幸夫

  シャープ株式会社技術本部

• 大西 茂夫

  シャープ株式会社技術本部

• 粟屋 信義

  シャープ株式会社技術本部

• 大西 茂夫

  シャープ株式会社 技術本部

• 細井 康成

  シャープ株式会社 技術本部

• 秋永 広幸

  産総研

• 井上 公

  産業技術総合研究所 強相関電子研究センター

• 中野 貴司

  シャープ株式会社 技術本部

• 大西 哲也

  シャープ株式会社 技術本部

• 石原 数也

  シャープ株式会社技術本部

• 渋谷 隆広

  シャープ株式会社技術本部

• 井上 雄史

  シャープ株式会社技術本部

• 山崎 信夫

  シャープ株式会社技術本部

• 高木 英典

  産業技術総合研究所強相関電子研究センター

• 赤穂 博司

  産業技術総合研究所強相関電子研究センター

• 十倉 好紀

  産業技術総合研究所強相関電子研究センター

• 井上 雄史

  シャープ株式会社 技術本部

• 赤穂 博司

  産総研

• 山崎 信夫

  シャープ株式会社 技術本部

• 赤穂 博司

  産業技術総合研究所 強相関電子研究センター

• 渋谷 隆広

  シャープ株式会社 技術本部

• 石原 数也

  シャープ株式会社 技術本部

• 赤穂 博司

  産総研・強相関電子技術セ

• 秋永 広幸

  産総研ナノテク

• 赤穗 博司

  産総研CERC

• DAVID Melanie

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• ROMAN Tanglaw

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 高野 史好

  産業技術総合研究所

• 島 久

  産総研

• Dino Wilson

  阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:dlsu理

• Dino Wilson

  大阪大学大学院理学研究科

• David Melanie

  大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• Roman Tanglaw

  大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• Kasai Haruo

  Department Of Electronics Chiba University

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門

• 辛 埴

  東大物性研

• 秋永 広幸

  産総研ナノ機能合成プロ

• 十倉 好紀

  東大院工

• 小嗣 真人

  JASRI SPring-8

• Dino Wilson

  阪大院理

• 中西 寛

  阪大院工

• 大谷 義近

  東大物性研

• 谷内 敏之

  東大物性研

• 小嗣 真人

  Jasri

• 高野 史好

  産総研

• 笠井 秀明

  大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻

• 笠井 秀明

  大阪大学大学院工学研究科

• 笠井 秀明

  阪大工

• DINO Wilson

  大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 中西 寛

  大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 岸 浩史

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 尾澤 伸樹

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• ARBOLEDA Nelson

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 松本 茂野

  阪大工

• David M.

  阪大工

• Roman T.

  阪大工

• Muhida R.

  阪大工

• Dino Wilson

  阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構

• 国方 伸一

  阪大工

• Muhida R.

  大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• MUHIDA Rifki

  大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 国方 伸一

  阪大院工

• 岸 浩史

  阪大院工

• 島津 武仁

  東北大

• 小嗣 真人

  広島大学放射光科学研究センター

• 松本 茂野

  大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• Kasai Hideaki

  Dep. Of Prec. Sci. & Tech. And App. Phys. Osaka Univ.

• Nakanishi Hirokazu

  Department Of Materials Science And Engineering Graduate School Of Engineering

• Nakanishi Hiroshi

  Dep. Of Prec. Sci. & Tech. And App. Phys. Osaka Univ.

• 小谷 佳範

  東大物性研

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 蜂谷 智央

  産総研

• 大塚 照久

  産総研

• 谷内 敏之

  東大物性研:JST-CREST

• 中西 寛

  大阪大学大学院工学研究科

• 島 久

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 秋永 広幸

  独立行政法人産業技術総合研究所 ナノデバイスセンター

• 小嗣 真人

  (公財)高輝度光科学研究センター(SPring-8/JASRI)

• 秋永 広幸

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

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著作論文

• 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
• 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
• 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
• 密度汎関数理論に基づくTiO_2(アナターゼ)薄膜の反応性イオンエッチングの反応評価
• 25pPSB-36 遷移金属酸化物の反応性プラズマイオンエッチング : 第一原理計算に基づくプロセスデザイン(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pAC-10 レーザーを用いた超高空間分解能光電子顕微鏡による磁気イメージング(25pAC 光電子分光,領域5(光物性))
• 4. 機能性酸化物を用いた不揮発性メモリRRAM : メモリ動作の信頼性向上を目指して(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)

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