島 久 | 独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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概要
関連著者
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島 久
独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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澤 彰仁
独立行政法人産業技術総合研究所電子光技術研究部門
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島 久
産業技術総合研究所
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粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
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玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
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秋永 広幸
独立行政法人産業技術総合研究所 ナノデバイスセンター
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秋永 広幸
独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- 2-3 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向
- 4. 機能性酸化物を用いた不揮発性メモリRRAM : メモリ動作の信頼性向上を目指して(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)