粟屋 信義 | シャープ株式会社 技術本部
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概要
関連著者
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粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
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粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
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島 久
産業技術総合研究所
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玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社技術本部
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玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
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井上 雄史
シャープ株式会社技術本部
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大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
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島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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井上 雄史
シャープ株式会社 技術本部
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秋永 広幸
産業技術総合研
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大西 茂夫
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社 技術本部
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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中野 貴司
シャープ株式会社 技術本部
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大西 哲也
シャープ株式会社 技術本部
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石原 数也
シャープ株式会社技術本部
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渋谷 隆広
シャープ株式会社技術本部
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山崎 信夫
シャープ株式会社技術本部
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高木 英典
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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赤穂 博司
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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十倉 好紀
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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赤穂 博司
産総研
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山崎 信夫
シャープ株式会社 技術本部
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赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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渋谷 隆広
シャープ株式会社 技術本部
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石原 数也
シャープ株式会社 技術本部
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赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
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赤穗 博司
産総研CERC
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秋永 広幸
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
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十倉 好紀
東大院工
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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木下 和司
シャープ株式会社プロセス開発センター
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谷上 拓司
東北大学電気通信研究所
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和田 昌久
シャープ株式会社プロセス開発センター
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佐藤 功太
シャープ株式会社プロセス開発センター
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山田 和也
シャープ株式会社プロセス開発センター
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横山 敬
東北大学電気通信研究所
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竹内 昇
東北大学電気通信研究所
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田中 研一
シャープ株式会社プロセス開発センター
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崎山 恵三
シャープ株式会社プロセス開発センター
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井上 雄史
シャープ(株)
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粟屋 信義
シャープ(株)
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井口 勝次
シャープ(株)
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粟屋 信義
シャープ株式会社プロセス開発センター
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井口 勝次
シャープ(株)ic事業本部 プロセス開発センター 要素技術開発室
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秋永 広幸
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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島 久
独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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秋永 広幸
独立行政法人産業技術総合研究所 ナノデバイスセンター
-
秋永 広幸
独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cellを用いた新しい高密度フラッシュメモリ
- 低誘電率絶縁膜の各種プロセス処理に対する安定性
- 4. 機能性酸化物を用いた不揮発性メモリRRAM : メモリ動作の信頼性向上を目指して(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)