A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cellを用いた新しい高密度フラッシュメモリ
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概要
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従来のNAND型フラッシュメモリにおけるビットあたり4F^2のセル面積の限界を克服する為に、Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)構造のセルを提案する。新しい構造では、1つのSiピラーに積層したメモリセルの数をNとして、多値化技術を用いることなく、ビットあたり4F^2/Nのセル面積を実現できる。1つのSiピラーに2個のメモリセルを積層したS-SGT構造のセルでは、ビットあたりのセル面積を、これまでに報告されている最小のNAND構造セルの50%以下にすることが可能である。新しいS-SGT構造のセルは、0.2μmのデザインルールを用いて、垂直方向の自己整合プロセスにより試作を行った。S-SGT構造のセルは、従来のNAND型構造のセルと同様に、メモリセルチャネル領域全面でのFowler-Nordheim(F-N)トンネリングによる一様な電子の注入、放出による書込み、消去を行う。この高性能なS-SGT構造のセルは、16G/64Gビット、またはそれ以上のフラッシュメモリなどの、超高密度不揮発性メモリに適用できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-15
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
-
木下 和司
シャープ株式会社プロセス開発センター
-
谷上 拓司
東北大学電気通信研究所
-
和田 昌久
シャープ株式会社プロセス開発センター
-
佐藤 功太
シャープ株式会社プロセス開発センター
-
山田 和也
シャープ株式会社プロセス開発センター
-
横山 敬
東北大学電気通信研究所
-
竹内 昇
東北大学電気通信研究所
-
田中 研一
シャープ株式会社プロセス開発センター
-
崎山 恵三
シャープ株式会社プロセス開発センター
-
粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
-
粟屋 信義
シャープ株式会社プロセス開発センター
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