C-11-6 完全空乏型と部分空乏型Surrounding Gate Transistorにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析的モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-07
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
羽田 秀生
東北大学電気通信研究所
-
ペシック イリヤ
東北大学電気通信研究所
-
中村 広記
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
山崎 宏明
東北大学電気通信研究所
-
ペシック イリヤ
東北大学 電気通信研究所
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