フラッシュEEPROMのデータ書換え特性
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概要
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近年有力な次世代デバイスとして,フラッシュEEPROMの研究開発が盛んである.しかし,現在のフラッシュEEPROMは,データの書換え回数に制限があるという問題点を有している.本論文では,従来提案されている書換え動作における,データ書換え特性の劣化現象を解析し,新しい高信頼性フラッシュEEPROMのセル設計の指針を示し,データ書換え特性が100倍以上向上することを示す.
- 1996-07-25
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