赤穂 博司 | 産総研
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概要
関連著者
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赤穂 博司
産総研
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赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
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赤穗 博司
産総研CERC
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甲野藤 真
産総研
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甲野藤 真
産総研エレクトロニクス研究部門
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小池 和幸
北大院理:jst
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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十倉 好紀
産総研CERC
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山田 寿一
産総研
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中野 貴司
シャープ株式会社 技術本部
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大西 哲也
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社技術本部
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玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
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石原 数也
シャープ株式会社技術本部
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渋谷 隆広
シャープ株式会社技術本部
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井上 雄史
シャープ株式会社技術本部
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山崎 信夫
シャープ株式会社技術本部
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大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
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粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
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島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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高木 英典
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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赤穂 博司
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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十倉 好紀
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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井上 雄史
シャープ株式会社 技術本部
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島 久
産業技術総合研究所
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秋永 広幸
産業技術総合研
-
山崎 信夫
シャープ株式会社 技術本部
-
粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
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大西 茂夫
シャープ株式会社 技術本部
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渋谷 隆広
シャープ株式会社 技術本部
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石原 数也
シャープ株式会社 技術本部
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玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社 技術本部
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秋永 広幸
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
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山田 浩之
産総研
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赤穂 博司
産総研強相関セ
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川崎 雅司
理研cmrg:東北大金研
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小池 和幸
北大理
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川崎 雅司
JST-ERATO
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十倉 好紀
JST-ERATO
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甲野藤 真
産総研CERC
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山田 寿一
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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小池 和幸
産総研CERC
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山田 寿一
産総研光技術
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小池 和幸
産総研・強相関電子技術セ
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山田 寿一
産総研・強相関電子技術セ
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長谷川 達生
産総研
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井上 公
産総研強相関セ
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保田 周一郎
産総研ナノテク
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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高木 英典
産総研ナノ機能合成プロ
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十倉 好紀
産総研ナノ機能合成プロ
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中村 優男
理研CMRG
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十倉 好紀
東大院工
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斎藤 軍治
京大理
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沖本 洋一
東工大院理工
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斉藤 軍治
京大院理
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川崎 雅司
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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長谷川 達生
産総研CERC
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甲野 藤真
産総研
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赤穗 博司
産総研
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十倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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十倉 好紀
Erato-mf:産総研:東大工:理研cmrg
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十倉 好紀
産総研cerc:jst-erato:東大工
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富岡 泰秀
産総研
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藤本 英司
産総研CERC
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中村 優男
産総研CERC
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赤穂 博司
産総研CERC
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甲野 藤真
産総研エレクトロニクス研究部門
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秋永 広幸
産総研ナノテク
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富岡 泰秀
産総研CERC
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松井 弘之
産総研CERC
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山田 寿一
産総研CERC
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斎藤 軍司
京大院理
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松井 弘之
産総研:東大新領域
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斉藤 軍治
京大低物セ:京大院理
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貴田 徳明
SSS-ERATO
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甲野藤 真
CERC
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沖本 洋一
産総研・強相関電子技術セ
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有馬 孝尚
筑波大・物質工
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貴田 徳明
科技団・ERATO-SSS
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甲野藤 真
科技団・ERATO-SSS
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有馬 孝尚
科技団・ERATO-SSS
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十倉 好紀
科技団・ERATO-SSS
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十倉 好紀
産総研:東大工
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Tokura Yoshinori
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist):department Of Applied Physic
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Tokura Yoshinori
Institute Of Materials Structure Science High Energy Accelerator Research Organization:correlated El
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Tokura Yoshinori
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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藤本 英司
産総研cerc:jst-crest
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保田 周一郎
産総研ナノテク:東大院新領域
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川崎 雅司
東北大学原子分子材料科学高等研究機構 金属材料研究所
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中村 優男
理化学研究所 交差相関物性科学研究グループ
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齋藤 軍治
名城大
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斉藤 軍治
名城大
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十倉 好紀
産総研・強相関電子技術セ:東大工
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甲野藤 真
SSS-ERATO/JST
著作論文
- 20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- 20aXA-1 RuドープLa_Sr_MnO_3の磁気異方性の変化と表面ナノドメインの形成(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-1 RuドープLa_Sr_MnO_3の磁気異方性の変化と表面ナノドメインの形成(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-87 スピン偏極SEMによるLa_Sr_MnO_3薄膜の高分解能実空間スピン計測(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 26aYF-12 界面エンジニアリングによるTTF系薄膜トランジスタの開発(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aPS-30 スピン偏極SEMによるLa_Sr_MnO_3単結晶の実空間スピン計測(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 13pWB-14 ミクロン加工磁性超構造体における磁気カイラル回折光の観測(微小領域磁性, 領域 3)
- 22aWA-6 サブミクロン加工超構造体の磁気光学