井上 公 | 産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
-
赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
-
赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
-
佐藤 弘
産総研・強相関電子技術セ
-
上野 和紀
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
-
赤穗 博司
産総研CERC
-
井上 公
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
高木 英典
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
山田 寿一
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
井上 公
産総研CERC
-
佐藤 弘
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
-
山田 寿一
産総研・強相関電子技術セ
-
石井 裕司
東工大理工
-
高木 英典
東大新領域
-
川崎 雅司
産総研・強相関電子技術セ
-
十倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
上野 和紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター:松下電器産業
-
石井 裕司
東工大理
-
十倉 好紀
産総研・強相関電子技術セ:東大工
-
長谷川 達生
産総研光技術
-
長谷川 達生
産総研CERC
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所
-
川崎 雅司
産総研CERC
-
澤 彰仁
産総研CERC
-
高橋 幸裕
産総研CERC
-
十倉 好紀
東大新領域
-
山田 寿一
産総研
-
石井 裕司
産総研CERC
-
赤穂 博司
産総研
-
山田 浩之
産総研
-
十倉 好紀
東大院工
-
十倉 好紀
産総研CERC
-
山田 浩之
産総研・強相関電子技術セ
-
小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
高橋 幸裕
北大院理
-
中村 浩之
東大新領域
-
中野 貴司
シャープ株式会社 技術本部
-
上野 和紀
東大新領域
-
大西 哲也
シャープ株式会社 技術本部
-
細井 康成
シャープ株式会社技術本部
-
玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
-
石原 数也
シャープ株式会社技術本部
-
渋谷 隆広
シャープ株式会社技術本部
-
井上 雄史
シャープ株式会社技術本部
-
山崎 信夫
シャープ株式会社技術本部
-
大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
-
粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
-
島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
高木 英典
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
-
赤穂 博司
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
-
十倉 好紀
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
-
井上 雄史
シャープ株式会社 技術本部
-
島 久
産業技術総合研究所
-
秋永 広幸
産業技術総合研
-
山崎 信夫
シャープ株式会社 技術本部
-
粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
-
大西 茂夫
シャープ株式会社 技術本部
-
渋谷 隆広
シャープ株式会社 技術本部
-
石原 数也
シャープ株式会社 技術本部
-
玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
-
細井 康成
シャープ株式会社 技術本部
-
秋永 広幸
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
-
長谷川 達生
産総研
-
金子 良夫
ERATO
-
于 秀珍
物材機構-ancc
-
菅野 勉
松下先端技術
-
四橋 聡史
パナソニック(株)先端技術研究所
-
石井 裕司
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
赤穂 博司
産総研CERC
-
于 秀珍
ERATO-ESS
-
山田 寿一
産総研光技術
-
小田川 明弘
産総研CERC
-
佐藤 弘
産総研CERC
-
石井 祐司
産総研CERC
-
足立 秀明
松下先端技研
-
四橋 聡史
松下先端技術
-
澤 彰仁
産総研・強相関電子技術研究センタ-
-
足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
足立 秀明
松下電器産業先端研
-
井上 公
東大新領域
-
上野 和紀
東北大WPI材料機構
-
足立 秀明
松下電器 先端研
-
菅野 勉
松下先端技研
-
四橋 聡史
松下先端技研
-
井上 公
産総研強相関セ
-
保田 周一郎
産総研ナノテク
-
秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
-
高木 英典
産総研ナノ機能合成プロ
-
赤穂 博司
産総研強相関セ
-
十倉 好紀
産総研ナノ機能合成プロ
-
高木 英典
産総研CERC
-
川崎 雅司
ERATO-MF
-
土倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
富岡 泰秀
産総研
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
-
富岡 泰秀
産総研CERC
-
井上 公
JST
-
菅野 勉
JST
-
四橋 聡史
産総研CERC
-
于 秀珍
松下先端技研
-
金子 良夫
松下先端技研
-
赤穂 博司
ERATO-SSS
-
于 秀珍
ATRL-Matsushita Electric Ind. Co. Ltd.
-
金子 良夫
ATRL-Matsushita Electric Ind. Co. Ltd.
-
土倉 好紀
東大新領域
-
中村 浩之
産総研CERC
-
上野 和紀
産総研CERC
-
保田 周一郎
産総研ナノテク:東大院新領域
-
長谷川 達生
産業技術総合研究所 光技術研究部門
-
川崎 雅司
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC):東北大金研
-
十倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC):東大工
-
赤穂 博司
産総研・強相電子技術研究センター(CERC)
-
宮台 賢一郎
産総研・強相電子技術研究センター(CERC)
-
高木 英典
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC):東大新領域
-
宮台 賢一郎
産総研・強相電子技術研究センター(CERC):神奈川工大、
-
金子 良夫
ERATO-SSS
-
佐藤 弘
産総研・強相電子技術研究センター(CERC)
-
小田川 明弘
産総研CERC:松下先端技術
著作論文
- 20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pTP-4 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : 低温金属相
- 24pZR-1 電界効果キャリアドーピングによるSrTiO_3の金属絶縁体転移(24pZR Ti系・その他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pZP-11 電極/Pr_Ca_MnO_3薄膜/電極構造におけるヒステリシス伝導特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-11 電極/Pr_Ca_MnO_3薄膜/電極構造におけるヒステリシス伝導特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 21pTP-3 遷移金属酸化物への電界効果ドーピング
- 28aZG-3 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : ドライプロセス
- 28aZG-2 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : ウェットプロセス
- 28aUE-5 SrTiO_3単結晶に対する電界効果キャリアドーピング(28aUE モット転移,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pXD-14 遷移金属酸化物単結晶に対する電界効果キャリア注入(高温超伝導(置換効果 結晶化学),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pYK-17 ペロブスカイト型マンガン酸化物単結晶に対する電界効果(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 多様な物性は電子のスピン・電荷・軌道の相互作用から生じる 強相関電子酸化物における複雑量子相の形成
- 7aXD-9 電界効果ドーピングによる物性制御 II(Mn系・ダブルペロブスカイト(相制御・電界効果),領域8)
- 25pWA-12 遷移金属酸化物への電界効果ドーピングの試み(25pWA その他(光電子分光,薄膜,電界効果など),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))