2-3 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,<特集>世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)

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概要

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• 遷移金属酸化物を用いた抵抗変化メモリReRAM(Resistive Random Access Memory)は,メモリ動作の省電力性,CMOSプロセスとの高い親和性,スケーラビリティに優れたメモリ技術であり,次世代不揮発性メモリの有力候補である.本稿では,ReRAMの動作性能について技術開発の最新動向を紹介するとともに,実用化に必須なReRAMの信頼性向上や,メモリアレーの更なる高集積化に向けて検討を進めるべき技術課題について概説する.

• 2012-11-01

著者

• 澤 彰仁

  独立行政法人産業技術総合研究所電子光技術研究部門

• 島 久

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

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