高野 史好 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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高野 史好
産業技術総合研究所
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秋永 広幸
産総研ナノテク
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秋永 広幸
産総研
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秋永 広幸
ナノ機能合成プロ産総研
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高野 史好
ナノ機能合成プロ
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秋永 広幸
ナノ機能合成プロ-産総研
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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大渕 博宣
JASRI
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Dino Wilson
大阪大学大学院理学研究科
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滝田 宏樹
筑波大物質工
-
瀧田 宏樹
筑波大物質工
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DAVID Melanie
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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ROMAN Tanglaw
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
Dino Wilson
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:dlsu理
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秋永 広幸
産業技術総合研
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David Melanie
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
松本 茂野
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
-
Roman Tanglaw
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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小川 佳宏
東工大院理工
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高野 史好
産総研
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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島 久
産業技術総合研究所
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松本 茂野
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
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時崎 高志
産総研
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黒田 眞司
産総研
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滝田 宏樹
ナノ機能合成プロ
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王 文洪
産総研ナノテク
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Muhida R.
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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時崎 高志
産総研ナノテク:sorst-jst
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MUHIDA Rifki
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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黒田 眞司
筑波大学物質工学系
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菱木 繁臣
原子力機構
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国方 伸一
阪大院工
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大島 武
原子力機構
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高野 史好
産総研ナノテク
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滝田 宏樹
筑波大,物質工
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滝田 宏樹
筑波大物質
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十倉 好紀
ERATO-MF
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藤森 淳
東大理
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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山上 浩志
原子力機構放射光
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岡根 哲夫
原子力機構放射光
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大河内 拓雄
原子力機構放射光
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藤森 伸一
原子力機構放射光
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竹田 幸治
原子力機構放射光
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斎藤 祐児
原子力機構放射光
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南 不二雄
東工大院理工
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斉藤 祐児
原子力機構
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小林 正起
東大理
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小林 正起
東大院工
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南 不二雄
北大応電研
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斉藤 祐児
原研 SPring-8
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黒田 眞司
筑波大
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Dino Wilson
阪大院理
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中西 寛
阪大院工
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竹田 幸治
原子力機構
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黄 鐘日
東大新領域
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寺井 恒太
原子力機構SPring-8
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宋 敬錫
東大理
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岡根 哲夫
原子力機構
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有馬 孝尚
ERATO-SSS
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斎藤 祐児
Jaeri
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武田 幸治
広大放射光セ
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笠井 秀明
阪大工
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斎藤 祐児
原子力機構
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島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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大久保 優
東工大院理工
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DINO Wilson
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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中西 寛
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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岸 浩史
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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尾澤 伸樹
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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ARBOLEDA Nelson
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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松本 茂野
阪大工
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David M.
阪大工
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Roman T.
阪大工
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Muhida R.
阪大工
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Dino Wilson
阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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島 久
産総研
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国方 伸一
阪大工
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齋藤 祐児
原研
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Dino Wilson
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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国方 伸一
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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大渕 博宣
高輝度セ
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大渕 博宣
高輝度光科学研究センター
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菱木 繁臣
日本原子力研究開発機構
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DINO Wilson
大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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大渕 博宣
名大院
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黒田 眞司
筑波大院
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大渕 博宣
名大院工
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李 政祐
筑波大物質工
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岸 浩史
阪大院工
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南 不二夫
東工大理
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斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
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滝田 宏樹
筑波大学物質工学系
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Kasai Hideaki
Dep. Of Prec. Sci. & Tech. And App. Phys. Osaka Univ.
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Nakanishi Hirokazu
Department Of Materials Science And Engineering Graduate School Of Engineering
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Nakanishi Hiroshi
Dep. Of Prec. Sci. & Tech. And App. Phys. Osaka Univ.
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秋永 広幸
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
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山上 浩志
原子力機構
-
中西 寛
大阪大学大学院工学研究科
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南 不二雄
東工大院理
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時崎 高志
ナノ機能合成プロ/産総研
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黒田 眞司
筑波大物質
-
十倉 好紀
ERATO : 産総研GERG : JRCAT : 東大工
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秋永 広幸
ナノ機能合成プロ/産総研
著作論文
- 21aTH-1 (Cd, Mn)Te/(Cd, Mg)Te 変調ドープ 2 次元電子系の磁場・電場下における時空間分解分光
- 31aYH-4 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe 変調ドープ 2 次元電子系の低温磁場下における時空間分解分光 II
- 22aTG-11 強磁性SiC:Mnの光電子分光およびX線吸収分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 密度汎関数理論に基づくTiO_2(アナターゼ)薄膜の反応性イオンエッチングの反応評価
- 25pPSB-36 遷移金属酸化物の反応性プラズマイオンエッチング : 第一原理計算に基づくプロセスデザイン(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYA-2 (Ga,Mn)Asにおける磁化誘起第二高調波発生(磁性半導体)(領域4)
- 第一原理計算に基づく反応性イオンエッチングプロセスの設計 : 始めの一歩
- 23pPSB-54 イオン注入法により作製された強磁性3C-SiC:Mnの局所構造(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 遷移金属合金の反応性イオンエッチング
- 22pPSA-66 熱拡散法によるSiCへの磁性元素Mnの導入(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiCベース室温強磁性半導体の探索
- 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)