多結晶シリコンとアルミ置換による微細配線技術

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概要

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• 我々はロジック/DRAM LSIで重要となるアスペクト比が7以上のアルミプラグを多結晶シリコン-アルミ置換(Polysilicon-Aluminum substitute(PAS))技術で実現した. これはビアホール内に多結晶シリコンをCVDとCMPを用いて埋め込んだ試料上にアルミを堆積し, その後の熱処理で多結晶シリコンプラグをアルミに置換する. このPAS技術により径0.175μm, 深さ1.7μm(アスペクト比約10)のビアホールに単結晶アルミプラグを形成できること, 置換前の多結晶シリコンのボイドが置換後に消失し, ボイドフリー/シームフリープラグが形成できることを明らかにした.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-01-24

著者

• 伊藤 昭男

  富士通研究所

• 有本 由弘

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 有本 由弘

  富士通研

• 堀江 博

  (株)富士通研究所

• 今井 雅彦

  (株)富士通研究所

• 伊藤 昭男

  (株)富士通研究所

• 有本 由弘

  (株)富士通研究所

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