多結晶シリコンとアルミ置換による高アスペクト比ビアプラグの形成技術
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概要
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近年, 超LSIの高集積化・高密度化に伴い配線の微細化・多層化が進んでいる。将来のDRAM, LogicおよびEmbedded DRAMではアスペクト比7以上のコンタクトホールへのメタル埋め込みが要求される。従来の高温リフロー, 高圧埋め込みおよびCVD法では要求を満足することは難しい。そこで我々は多結晶シリコンとアルミの置換現象を用いた高アスペクト比アルミプラグの検討を行った。この置換現象のコンタクトへの応用については, すでに報告例がある。本稿では, この置換(Polysilicon-Aluminum Substitute (PAS))技術によりアスペクト比10でボイドフリーの単結晶アルミプラグを実現できたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
伊藤 昭男
富士通研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
富士通研
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堀江 博
(株)富士通研究所
-
今井 雅彦
(株)富士通研究所
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伊藤 昭男
(株)富士通研究所
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
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