65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
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概要
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LSIの微細化は高速化に不可欠であるが、配線ピッチの縮小による配線間容量の増大は、逆に配線遅延を増加させ、動作速度を低下させてしまう。さらに、昨今増加するモバイル用途での超大規模集積回路(ULSI)を中心に、消費電力削減が必須であり、層間絶縁膜の低誘電率化の重要性はさらに増している。この要求に対して、我々は超低誘電率材料NCS(Nano-Clustering Silica)を開発した。NCSは65nm node以降の要求値を満足するk=2.25という超低誘電率と共に、Cu配線を破壊から十分に守ることができる高強度(弾性率E=10GPa)を保持する。我々は、NCSを用いて、65nm世代以降のLSIに適用可能な多層配線技術の確立を目指している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-24
著者
-
宮嶋 基守
富士通(株)
-
河野 隆宏
富士通(株)
-
清水 紀嘉
富士通研究所
-
中村 友二
富士通研究所
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
中村 友二
(株)富士通研究所
-
鈴木 貴志
富士通研究所
-
清水 紀嘉
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
水島 賢子
株式会社富士通研究所
-
中石 雅文
富士通(株)
-
三沢 信裕
富士通株式会社
-
杉浦 巌
株式会社富士通研究所
-
中田 義弘
株式会社富士通研究所
-
杉本 文利
富士通株式会社
-
西川 伸之
富士通株式会社
-
射場 義久
富士通株式会社
-
福山 俊一
富士通株式会社
-
矢野 映
株式会社富士通研究所
-
宮嶋 基守
富士通株式会社
-
鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
-
大塚 敏志
富士通株式会社プロセス開発部
-
射場 義弘
富士通株式会社
-
説田 雄二
富士通株式会社
-
酒井 久弥
富士通株式会社
-
小浦 由美子
富士通株式会社
-
鈴木 貴志
株式会社富士通研究所
-
北田 秀樹
株式会社富士通研究所
-
中野 憲司
富士通株式会社
-
柄沢 章孝
富士通株式会社
-
大倉 嘉之
富士通株式会社
-
河野 隆宏
富士通株式会社
-
綿谷 宏文
富士通株式会社
-
中井 聡
富士通株式会社
-
中石 雅文
富士通株式会社
-
大塚 敏志
富士通株式会社
-
水島 賢子
富士通研究所
-
酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
中村 友二
株式会社富士通研究所
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