超高速トランジスタ、超高集積SRAM、層間実効誘電率3.0のCu配線を備えた90mn CMOSテクノロジ

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概要

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• アブストラクト high end向け40nmゲート長トランジスタ、generic65nmゲート長トランジスタ、実効誘電率3.0を達成するSiCでキャップされたCu/SiLK配線、セル面積0.999μm2の6T-SRAMを備えた90nm CMOSテクノロジを開発した[1][2]。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-08-16

著者

• 中井 聡

  富士通株式会社

• 中井 聡

  富士通あきる野テクノロジセンター

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