23pC1 TEMによるAI配線のエレクトロマイグレーションその場観察(その場観察I)
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概要
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A novel method has been developed which makes it possible to independently control temperature and stress current of an interconnect line during TEM observation. Using this technique, it was revealed that the resistance of the interconnect increases with the growth of the voids which appeared at each side of the boundary of one Al bamboo grain due to electromigration. This result shows that the present method can be very effective for studying the EM failure mechanism.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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