鈴木 貴志 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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鈴木 貴志
富士通研究所
-
鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
-
中村 友二
富士通研究所
-
清水 紀嘉
富士通研究所
-
中村 友二
(株)富士通研究所
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神谷 庄司
名工大
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大宮 正毅
慶應大
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佐藤 尚
名工大
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陳 傳〓
名工大院
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長澤 忠弘
日本電子
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佐藤 尚
名古屋工業大学
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宍戸 信之
名古屋工業大学
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神谷 庄司
名古屋工業大学
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陳 傅〓
名工大(院)
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宮嶋 基守
富士通(株)
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河野 隆宏
富士通(株)
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下村 紘志
名工大院
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大宮 正毅
慶大
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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松山 英也
富士通
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中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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福山 俊一
富士通株式会社
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宮嶋 基守
富士通株式会社
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大塚 敏志
富士通株式会社プロセス開発部
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鈴木 貴志
株式会社富士通研究所
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大倉 嘉之
富士通株式会社
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河野 隆宏
富士通株式会社
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綿谷 宏文
富士通株式会社
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大塚 敏志
富士通株式会社
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水島 賢子
富士通研究所
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酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
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水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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宍戸 信之
名工大
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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大宮 正毅
慶應義塾大学
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西田 政弘
名古屋工業大学
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小岩 康三
名古屋工業大学
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中村 友二
株式会社富士通研究所
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神谷 庄司
名古屋工業大学大学院工学研究科
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鈴木 俊明
日本電子株式会社
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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北田 秀樹
富士通研究所
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通研究所
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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佐藤 元伸
富士通株式会社
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工藤 寛
富士通研究所
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羽根田 雅希
富士通研究所
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落水 洋聡
富士通研究所
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筑根 敦弘
富士通研究所
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岡野 俊一
富士通研究所
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大塚 信幸
富士通研究所
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砂山 理江
富士通研究所
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田平 貴裕
富士通研究所
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二木 俊郎
富士通研究所
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酒井 久弥
富士通
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天利 聡
富士通
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清水 紀嘉
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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西田 政弘
名工大
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中石 雅文
富士通(株)
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三沢 信裕
富士通株式会社
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杉浦 巌
株式会社富士通研究所
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中田 義弘
株式会社富士通研究所
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杉本 文利
富士通株式会社
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西川 伸之
富士通株式会社
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射場 義久
富士通株式会社
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松山 英也
富士通株式会社
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矢野 映
株式会社富士通研究所
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谷岡 祐佳
名工大
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細田 勉
富士通株式会社プロセス開発部
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庄野 健
富士通(株)品質保証統括部
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庄野 健
富士通株式会社
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射場 義弘
富士通株式会社
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説田 雄二
富士通株式会社
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酒井 久弥
富士通株式会社
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小浦 由美子
富士通株式会社
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北田 秀樹
株式会社富士通研究所
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中野 憲司
富士通株式会社
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柄沢 章孝
富士通株式会社
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中井 聡
富士通株式会社
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中石 雅文
富士通株式会社
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中村 友二
株式会社 富士通研究所
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塩津 基樹
富士通株式会社
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天利 聡
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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野久尾 毅
日本電子(株)
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野久尾 毅
日本電子
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西田 正弘
名工大
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細田 勉
富士通株式会社
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佐藤 元伸
東北大学多元物質科学研究所:(独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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陳 伝彤
名古屋工業大学
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西田 政弘
（独）科学技術振興機構
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鈴木 俊明
日本電子（株）
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野久 尾毅
日本電子（株）
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大宮 正毅
慶應大学工学部:科学技術振興機構CREST
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大宮 正毅
慶應大:JST
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大宮 正毅
慶應義塾大学:JST CREST
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松本 悟
名古屋工業大学
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宍戸 信之
名工大:JST
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長澤 忠広
日本電子(株)
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宍戸 信之
名古屋工業大学:科学技術振興機構CREST
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野久 尾毅
日本電子株式会社:科学技術振興機構CREST
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野久尾 毅
日本電子株式会社:JST CREST
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陳 傳〓
名古屋工業大学
-
長澤 忠広
日本電子株式会社
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神谷 庄司
名工大:JST
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西田 政弘
名古屋工業大学:科学技術振興機構CREST
-
西田 政弘
名工大:JST
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鈴木 俊明
日本電子株式会社:科学技術振興機構CREST
著作論文
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- LSI多層配線の信頼性
- 1203 異なる手法により評価された集積回路用銅薄膜配線材料の付着強度(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(1)銅薄膜の強度物性,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 1927 配線用銅薄膜界面に対する付着強度評価法の検討(J16-4 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価(4),J16 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- 細幅Cu配線のストレスマイグレーション(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 23pC1 TEMによるAI配線のエレクトロマイグレーションその場観察(その場観察I)
- TEMによるAl配線のエレクトロマイグレーションその場観察
- J0601-2-6 集積回路中の配線用銅薄膜界面に対する付着強度の評価([J0601-2]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
- Specimen Size Effect of Interface Strength Distribution Induced by Grain Structure of Cu Line
- 104 集積回路配線用銅薄膜の付着強度評価における試験片寸法の効果(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),OS・一般セッション講演)
- LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦(配線・実装技術と関連材料技術)
- OS2406 半導体デバイス配線構造における局所付着強度分布の統計的評価の試み(OS24-2 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性,OS-24 三次元積層半導体チップにおけるシリコン貫通ビア/微細金属接合技術と強度信頼性)