中村 友二 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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中村 友二
(株)富士通研究所
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中村 友二
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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水島 賢子
富士通研究所
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水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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中村 友二
株式会社富士通研究所
著作論文
- フリップチップ実装工程におけるCu/low-k多層配線の信頼性向上技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- Cu配線におけるグレインおよび微小ボイドの発生
- ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性
- 裏面Ti堆積によるC49-C54 TiSi_2相転移の促進と低抵抗微細電極の形成
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 光散乱法を利用した薄膜Si_Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 20109 機械工学が支援できる最先端デバイス(2)(機械工学が支援する最先端デバイス技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))