中村 友二 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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中村 友二
(株)富士通研究所
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中村 友二
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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水島 賢子
富士通研究所
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水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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中村 友二
株式会社富士通研究所
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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藤本 興冶
東京大学工学系研究科
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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藤本 興治
大日本印刷株式会社
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池田 和人
富士通研究所
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池田 和人
(株)富士通研究所
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川合 章仁
(株)ディスコ
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荒井 一尚
(株)ディスコ
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鈴木 浩助
大日本印刷株式会社
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鈴木 貴志
富士通研究所
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金 永〓
東京大学工学系研究科
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中田 義弘
株式会社富士通研究所
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鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
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金 永〓
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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小林 靖志
(株)富士通研究所
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宮嶋 基守
富士通(株)
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河野 隆宏
富士通(株)
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大場 隆之
東京大学
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射場 義久
富士通株式会社
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宮嶋 基守
富士通株式会社
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大塚 敏志
富士通株式会社プロセス開発部
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大塚 敏志
富士通株式会社
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藤本 興治
大日本印刷
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中田 義弘
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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中田 義弘
(株)富士通研究所
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内堀 千尋
米国富士通研究所
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田村 直義
(株)富士通研究所
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中嶋 一雄
(株)富士通研究所
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清水 紀嘉
富士通研究所
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清水 紀嘉
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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原 明人
東北学院大学理工学部
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原 明人
東北学院大学工学部
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前田 展秀
東京大学工学系研究科
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彦坂 吉信
富士通セミコンダクター株式会社
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恵下 隆
富士通セミコンダクター株式会社
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北田 秀樹
東京大学工学系研究科
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川合 章仁
株式会社ディスコ
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荒井 一尚
株式会社ディスコ
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中石 雅文
富士通(株)
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富田 博文
(株)富士通研究所 材料技術研究所
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ホッブス アンソニー
(株)富士通研究所
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福山 俊一
富士通株式会社
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アンソニー ホッブス
株式会社富士通研究所Cプロジェクト
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細田 勉
富士通株式会社プロセス開発部
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鈴木 貴志
株式会社富士通研究所
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大倉 嘉之
富士通株式会社
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河野 隆宏
富士通株式会社
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綿谷 宏文
富士通株式会社
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ホッブス アンソニー
株式会社富士通研究所cプロジェクト
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射場 義久
富士通マイクロエレクトロニクス
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尾崎 史朗
富士通研究所
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細田 勉
富士通株式会社
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武山 真弓
北見工業大学
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野矢 厚
北見工業大学
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佐藤 勝
北見工業大学
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北田 秀樹
東京大学
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リー マイケル
米国富士通研究所
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ザン シフォン
テキサス大学オースチン校
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ホー ポール
テキサス大学オースチン校
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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ザン シフォン
テキサス大学
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武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 尚
名工大
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杉井 寿博
富士通研究所
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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中塚 理
名古屋大学
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藤本 興治
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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佐藤 元伸
富士通株式会社
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野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
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高木 英雄
富士通(株)
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工藤 寛
富士通研究所
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筑根 敦弘
富士通研究所
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二木 俊郎
富士通研究所
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松山 英也
富士通
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内堀 千尋
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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川村 和郎
(株)富士通研究所
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大田 譲
富士通(株)
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渡辺 潔
富士通(株)
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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神谷 庄司
名工大
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川村 和郎
富士通研究所
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大宮 正毅
慶應大
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佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
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Lee Michael
米国富士通研
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武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
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大場 隆之
School of Engineering, The University of Tokyo
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大場 隆之
東京大学工学系研究科
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土川 春穂
(株)富士通研究所
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木村 孝治
(株)富士通研究所
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三沢 信裕
富士通株式会社
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杉浦 巌
株式会社富士通研究所
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杉本 文利
富士通株式会社
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西川 伸之
富士通株式会社
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松山 英也
富士通株式会社
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矢野 映
株式会社富士通研究所
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菅谷 慎二
富士通株式会社プロセス開発部
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村上 聡
富士通株式会社プロセス開発部
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庄野 健
富士通(株)品質保証統括部
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庄野 健
富士通株式会社
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射場 義弘
富士通株式会社
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説田 雄二
富士通株式会社
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酒井 久弥
富士通株式会社
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小浦 由美子
富士通株式会社
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北田 秀樹
株式会社富士通研究所
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中野 憲司
富士通株式会社
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柄沢 章孝
富士通株式会社
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中井 聡
富士通株式会社
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中石 雅文
富士通株式会社
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中村 友二
株式会社 富士通研究所
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塩津 基樹
富士通株式会社
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石川 健治
富士通研究所
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石川 健治
富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部
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川合 章仁
ディスコ
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荒井 一尚
ディスコ
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小林 靖志
富士通研究所
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中石 雅文
富士通マイクロエレクトロニクス
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秋山 深一
富士通マイクロエレクトロニクス
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林 雅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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河野 隆宏
富士通マイクロエレクトロニクス
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岩田 浩
富士通マイクロエレクトロニクス
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酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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宍戸 信之
名工大
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野久尾 毅
日本電子
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陳 傳〓
名工大院
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西田 正弘
名工大
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長澤 忠弘
日本電子
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財満 鎭明
名古屋大学
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ホー ポール
テキサス大学
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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金 永束
東京大学
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NAKATA Yoshihiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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児玉 祥一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
金 永束
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
池田 淳也
(株)富士通研究所
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佐藤 元伸
東北大学多元物質科学研究所:(独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
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神吉 剛司
(株)富士通研究所
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須田 章一
(株)富士通研究所
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陳 傅〓
名工大(院)
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神吉 剛司
株式会社富士通研究所
-
須田 章一
株式会社富士通研究所
著作論文
- フリップチップ実装工程におけるCu/low-k多層配線の信頼性向上技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- Cu配線におけるグレインおよび微小ボイドの発生
- ウェーハ積層を用いた三次元高集積化技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性
- 裏面Ti堆積によるC49-C54 TiSi_2相転移の促進と低抵抗微細電極の形成
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロン薄化技術の開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 光散乱法を利用した薄膜Si_Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 20109 機械工学が支援できる最先端デバイス(2)(機械工学が支援する最先端デバイス技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- LSIプロセスと表面技術
- 第1回薄膜基礎講座
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討
- サリサイドプロセスにおけるCoSi_2の反応過程
- TEMによるスパッタTiN膜の結晶粒構造とち密性の評価
- LSI多層配線の信頼性
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- 細幅Cu配線のストレスマイグレーション(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
- ダマシンコンタクトTSVによる三次元集積化
- Cu/ポーラスLow-k多層配線におけるバリアメタル酸化の評価
- 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス(配線・実装技術と関連材料技術)
- J0601-2-6 集積回路中の配線用銅薄膜界面に対する付着強度の評価([J0601-2]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
- Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- ラジカル反応を応用した低温でのSiN_x膜の作製
- 3D/2.5D-IC向けチップ間接続配線の高信頼性を実現するバリア技術(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)
- 低温プロセスによるSiN_x膜の特性評価(簿膜プロセス・材料,一般)