原 明人 | 東北学院大学工学部
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概要
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原 明人
東北学院大学工学部
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原 明人
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旭化成工業(株)樹脂技術センター
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島根大学総合理工学部
著作論文
- ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象(シリコン関連材料の作製と評価)
- 光散乱法を利用した薄膜Si_Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(シリコン関連材料の作製と評価)
- ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si_Ge_x薄膜トランジスタの開発(シリコン関連材料の作製と評価)
- 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT
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