ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si_<1-x>Ge_x薄膜トランジスタの開発(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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多結晶半導体からなる薄膜トランジスタ(TFT)の移動度は結晶粒径に依存する。我々は、前駆体として非晶質Si_<1-x>Ge_xを用いた連続波(CW)レーザによるラテラル結晶化により、poly-Si薄膜に比較して大粒径の多結晶薄膜を形成できることを既に報告している。また、Si_<1-x>Ge_xの溶融温度は、Si薄膜のそれよりも低い。したがって、非晶質Si_<1-x>Ge_xを用いれば、ガラスヘの熱損傷を低減しつつ、大粒径の多結晶半導体薄膜を実現することが可能である。本研究では、ガラス基板上に550℃の低温プロセスで大粒径poly-Sin_<0.95>Ge_<0.06> TFTを製作し性能評価を行った。その結果、n-ch移動度145cm^2/Vsを実現した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2010-12-10

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