ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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多結晶シリコン薄膜は薄膜トランジスタや太陽電池材料として注目されているが、それらのデバイスの性能・効率・信頼性の向上のためには、金属不純物のゲッタリングが重要である。本研究は、ガラス上に形成された大粒径の多結晶シリコン薄膜のゲッタリング現象について研究している。Niを利用した金属誘起固相成長を利用してNiをドープした多結晶シリコン薄膜を形成したのも、レーザを利用した再結晶成長を行いNiをドープした大粒径・高品質多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成した。Niの挙動は、STEM, STEM-EDX、EDにて観察した。その結果、NiはNiシリサイドとして結晶粒界の会合点に集積することを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-27
著者
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