連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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連続発振レーザ横方向結晶化(CLC)法によりガラス基板上にSiおよびSiGe薄膜のフロー状成長を実現した.CLCは薄膜トランジスタ(TFT)中のチャネル電流に対する粒界の効果を低減させるのに有効である.また,結晶粒中の欠陥低減にも有効である.しかし,低指数面を均一に形成するのは必ずしも容易でない.SiにGeを混合すると形状がフロー状から超横方向成長へと変化し,その結果擬似単結晶が形成される.この結果は,合金固有の組成的過冷却により説明できる.Geの偏析,結晶境界の配置,TFT特性に対する評価結果を示す.
- 2012-04-20
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